VGF坩埚

  • ● 产品概述
       VGF坩埚是应用于VGF技术中的一类坩埚,垂直梯度凝固法(VGF)技术是目前流行的技术,是微光电子和半导体产业生长GaAs单晶和InP单晶的良好选择。
    ● 主要特点:
    1.可制作大规格坩埚(最大直径为8inch,最大高度为18inch);
    2.纯度保证(>99.99%);
    3.使用次数多(具有优异的层间结构);
    4.成晶率高(通过对各向异性的调整,保证高的成晶率)。
    ● 主要参数

    性能

    单位

    数值

    密度

    g/cm3

    2.0-2.19

    体积电阻系数

    Ω·cm

    3.11×1011

    抗张强度 (力|| “C”)

    N/mm2

    153.86

    抗弯强度

    (力|| “C”)

    N/mm2

    243.63

    (力⊥“C”)

    N/mm2

    197.76

    显微硬度

     -

    N/mm2

    691.88

    热传导率

     -

    -

    “a”方向    “c”方向

    (200℃)

    W/m·k

           60              2.60

    (900℃)

    W/m·k

          43.70          2.80

    介电强度(室温)

    KV/mm 

    56

    ● 产品应用:

       用于VGF法合成半导体单晶及Ⅲ-Ⅴ族化合物。
    ● 联系方式:
       0534-2129266
    * 国晶官网链接:

INDUSTRIAL LAYOUT

产业布局